Data for: Formation mechanism of high Ge content SiGe epilayer on Si by liquid phase epitaxy using Ge-Sn Solution
收藏doi.org2025-03-25 收录
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http://doi.org/10.17632/rzj4dt999v.1
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A typical surface morphology of the high Ge content SiGe epilayer prepared on Si(111) substrate.
在Si(111)衬底上制备的高锗含量SiGe外延层所呈现的典型表面形貌。
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