30比特梯子型器件

30比特样品中单个比特为十字型，可以在横向和纵向两个方向进行耦合。读出腔和比特以不隔地的形式直接耦合，节省了耦合处的空间，但是带来了局部曝光和刻蚀差异导致的耦合不稳定问题。我们在设计中采用加大接触面，增加读出腔和比特距离的方式使电场密度减小。同时，工艺中力求刻蚀面的陡直。最终，测试结果显示这样的设计并未造成耦合的不稳定，芯片工作正常稳定。比特样品的单个比特为T字形，读出腔和比特以隔地的形式间接耦合。