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同质生长p型AlGaN薄膜中的空穴浓度数据集

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国家基础学科公共科学数据中心2026-04-04 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=69cd4126f17560281a74ac9a&type=1
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资源简介:
数据集包括研究衬底材料中的缺陷、杂质对外延结构和界面特性的影响和Mg掺杂量对p型AlGaN薄膜的影响以及在AlN衬底上进行外延AlN和AlGaN薄膜和p型掺杂过程中产生的表征测试结果数据及p型AlGaN外延薄膜的空穴浓度,其中数据文件夹的名称为数据内容对应的测试表征名称。
提供机构:
中国科学院半导体研究所
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