同质生长p型AlGaN薄膜中的空穴浓度数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-04-04 收录
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资源简介:
数据集包括研究衬底材料中的缺陷、杂质对外延结构和界面特性的影响和Mg掺杂量对p型AlGaN薄膜的影响以及在AlN衬底上进行外延AlN和AlGaN薄膜和p型掺杂过程中产生的表征测试结果数据及p型AlGaN外延薄膜的空穴浓度,其中数据文件夹的名称为数据内容对应的测试表征名称。
提供机构:
中国科学院半导体研究所搜集汇总
数据集介绍

背景与挑战
背景概述
该数据集聚焦于同质生长p型AlGaN薄膜,包含了研究衬底材料缺陷、杂质对外延结构和界面特性的影响,以及Mg掺杂量对p型AlGaN薄膜性能影响的表征测试结果。数据涵盖在AlN衬底上进行外延和p型掺杂过程中的测试数据,并提供了p型AlGaN外延薄膜的空穴浓度值,各数据文件夹以对应的测试表征名称命名。
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