InGaAs探测器芯片制备技术数据集

1.1 数据概述
本数据集汇集了用于微弱电信号发生源的InGaAs红外探测芯片设计、制备及测试分析过程中产生的相关数据。主要包括雪崩二极管（APD）探测器的外延生长及制备以及InGaAs基PIN光电探测器芯片的研制过程中的外延设计、形貌表征、工艺制备过程和电学性能测试等数据。
1.2内容描述
数据集包含多类数据，其中扫描电子显微镜（SEM）测试数据的尺度是在微米量级，而二次离子质谱仪（SIMS）测试数据的深度分辨率达到1nm。
1.3 目录结构描述
本数据集主要包含了“APD探测器结研制数据集”和“PIN探测器研制数据集”两个子数据集。其中，“APD探测器结研制数据集”包含APD探测器外延结构示意图及SEM图、关键工艺SEM图和工艺流程示意图。“PIN探测器研制数据集”包含InGaAs基PIN探测器的外延结构设计图、Zn扩散工艺SIMS测试图和探测器SEM全貌图。
1.4 文件描述
本数据集中两种探测器的外延设计图中各层都有文字标识；并且外延及工艺的SEM图下方均有比例标尺标注；工艺流程图中有文字说明。SISM测试图的横坐标表示样品的测试深度；纵坐标表示各种元素的浓度。