BCD工艺栅氧厚度与氧化层致密性双重优化低的延时设计研究数据

本数据集面向低功耗低延时IGBT模拟驱动芯片用BCD工艺开发的研究需求，聚焦BCD工艺器件隔离结构、耐压、导通电流等影响IGBT模拟驱动芯片耐压和延时的影响因素，依托调研结果、工艺仿真、单步工艺试验、多批次PCM重点器件参数测试等方法，进行双栅BCD工艺器件结构设计、工艺流程优化，得到一套双栅BCD工艺器件结构、工艺仿真、制备工艺优化和多批次PCM参数测试相关数据。数据集包含3个子文件夹，以.xlsx、.pdf 格式存储，共4个文件（.xlsx文件1个、.pdf文件3个），包含BCD工艺中各类器件结构数据、不同器件结构的仿真数据、产线制备优化方案、BCD制造工艺中不同元器件关键参数测试结果等内容，涵盖从双栅BCD工艺器件结构设计、器件制备工艺仿真、产线制备优化方案、PCM参数测试结果等，可为IGBT模拟驱动芯片用0.18um双栅BCD工艺开发提供数据支撑。数据量127.31MB。