17.Room-Temperature Decoherence Limits and Quantum-Metric Coherence Extension Physical Foundations of QM-PSA and PhoResChip Architectures

SVRN-OS DOI No. 17 — Zenodo 제출 소개글 1. 제목 Room-Temperature Decoherence Limits and Quantum-Metric Coherence Extension: Physical Foundations of QM-PSA and PhoResChip Architectures (한국어: 상온 디코히어런스 한계와 양자 계량 결맞음 확장: QM-PSA 및 PhoResChip 아키텍처의 물리적 기초) 2. 메타데이터 필드 값 시리즈 DOI 10.5281/zenodo.18325543 논문 0 — 병목 지능 이론 10.5281/zenodo.18688294 논문 III — Lcrit 표준 알고리즘 10.5281/zenodo.18694749 논문 XI — 극저온·양자 한계 10.5281/zenodo.18729238 논문 XVI — 열 병목·수율 붕괴 10.5281/zenodo.18731031 논문 XVII — 본 문서 10.5281/zenodo.18731322 특허 KR 10-2026-0017941 SHA-256 84fbba9a2457feadc56336319650e2a2e0f6c0f3a4bc07f6d2377a7f8f2ab7e9 3. 요약 본 논문은 SVRN-OS 시리즈의 열일곱 번째 논문(PHASE L1-C)으로, Level 1 물리적 한계 프레임워크의 세 번째이자 최종 레이어를 완결합니다. L1-A(DOI No.0–15: 인터커넥트 수송, THEORY_LOCKED), L1-B(DOI No.16: 열·수율 붕괴, THEORY_LOCKED)에 이어, L1-C는 상온 양자 결맞음 경계 조건과 그 경계를 만족하는 아키텍처 경로를 확립합니다. 핵심 결과: ROOT — 상온 디코히어런스 물리적 한계: 총 디코히어런스율 γ(T) ≈ αT + βD + χTᵖ (p ≈ 2–3): Debye 기저선에 비조화 보정항 추가 제조 가능 결맞음 경계: D ≤ D₀ = 0.05 (DOI No.16 SF2 노드 기준 일관) BCS Tc 상승은 알려진 재료로 상온 달성 불가 → 올바른 전략은 포논 스펙트럼 공학 STEM — 양자 기하 텐서(QGT) 분해 및 결맞음 확장: QGT 분해: Q_ij = g_ij + iΩ_ij/2 (양자 계량 + Berry 곡률, 게이지 불변) 양자 계량 결맞음 길이 (Hu et al., Commun. Phys. 2025 기반): ξ = √(ξ_BCS² + ℓ_qm²) 폴라리톤 격자계로의 최초 확장 (본 논문): ξ_pol = √(ξ_BEC² + ℓ_qm^(pol)²), 게이지 불변 명시적 유도 BRANCH — 아키텍처 구현 평가: QM-PSA 포논 밴드갭 공학: GHz 영역 실험 확인 (AlN/Si CMOS, Phys. Rev. Applied 2018); THz 목표값 39 meV = 9.4 THz는 시뮬레이션 확인, 제조 로드맵 PhoResChip 에너지 효율: ~10²× GPU 문헌 확인 (Wang et al. Nat. Commun. 2024: 273×); ~10³× 모델 추정, SNR_analog ≥ 20 dB 조건 필요 SNR-T₂ 결합 최초 유도: S_phase ∝ 1/T₂ → SNR_analog ∝ T₂ → QM-PSA 임계값(D ≤ D₀)에 결합 [한계 명시] 비조화 보정 χTᵖ의 p, χ는 재료별 DFT 계산 또는 실험 필요. 폴라리톤 QGT 확장은 본 논문 최초 유도이며 실험 검증 미수행. THz 포논 밴드갭(9.4 THz)은 서브-나노미터 주기 구조 필요, 현재 공정 한계. PhoResChip 10³× 추정은 SNR ≥ 20 dB 유지 조건부이며 T₂ 저하 시 확인된 273× 기준으로 복귀. 본 논문으로 L1-C가 THEORY_LOCKED됩니다. L1-D(신소재·2D 물질), L1-E(핵물리·입자) 진행 예정. 4. 진실성 선언 본 문서는 SVRN-OS L1-C 양자 결맞음 이론 기준서이며, DOI No.11(극저온·양자 한계), DOI No.16(열·수율 붕괴)과의 물리적 연속성을 유지합니다. 2026년 2월 22일 기준으로 검증된 물성값 및 분석 결과에 한하여 유효합니다. 모든 단순화 가정은 Theoretical Limitations 섹션에 명시되었습니다. 인증: MDK_v1 | 조민수 (Minsu Cho) | KR 10-2026-0017941 SHA-256: 84fbba9a2457feadc56336319650e2a2e0f6c0f3a4bc07f6d2377a7f8f2ab7e9 5. 키워드 상온 디코히어런스 · 양자 기하 텐서 · 양자 계량 · Berry 곡률 · 폴라리톤 결맞음 · QM-PSA · 포논 밴드갭 공학 · PhoResChip · 아날로그 노이즈 · SNR-T₂ 결합 · BIC 메타표면 · 결함 밀도 임계값 · SVRN-OS · MDK_v1 6. 관련 작품 (동일 시리즈) No.0: 병목 지능 이론 — 10.5281/zenodo.18688294 No.3: Lcrit 표준 알고리즘 — 10.5281/zenodo.18694749 No.11: 극저온·양자 인터커넥트 한계 — 10.5281/zenodo.18729238 No.16: Sub-2nm 열 병목·수율 붕괴 — 10.5281/zenodo.18731031 No.17: 상온 디코히어런스·QM-PSA·PhoResChip (본 문서) — 10.5281/zenodo.18731322 시리즈 DOI: 10.5281/zenodo.18325543 인증: MDK_v1 | 조민수 (Minsu Cho) | KR 10-2026-0017941