一种1550nm波段单光子源的制备方法及单 光子源和光学器件
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资源简介：
本发明公开了一种1550nm波段单光子源的
制备方法及单光子源和光学器件，本发明通过在
SiC晶圆<0001>面制备氧化硅层；离子注入；沿氧
化硅表面与另一带氧化硅介质层的SiC衬底键
合；退火剥离，将SiC薄膜转移至SiC衬底上；在
SiC薄膜上制备掩膜，去除掩膜图案以露出SiC薄
膜部分；V离子注入，再去除掩膜区域；
提供机构：
上海微系统与信息技术研究所
创建时间：
2023-05-23
