氮化物薄膜外延与表征数据集

采用MOCVD方法生长了高质量氮化镓（GaN）薄膜及实现了p型掺杂，并结合XRD测试，透射电镜测试，原子力显微镜测试，载流子浓度测试，紫外可见透过率测试对薄膜质量和相关光电性能进行表征。通过第三方测试表明GaN薄膜具有较高质量，薄膜(002)面峰位半高宽低于250 arcsec，位错密度<109，均方根表面粗糙度<0.15 nm。此外通过Al掺杂，通过精确控制生长过程中各个有机源的气体流量来调节反应腔内部的元素比例，制备了高质量AlGaN薄膜，实现了禁带宽度3.4~6.2 eV可控。综上，本课题利用 MOCVD 方法来制备高质量的氮化物以及多元合金薄膜，调节生长条件以研究合金薄膜中各组分比例与材料禁带宽度之间的关系。其研究结果以专利和论文的方式发表，可以为本领域的科研人员提供重要的参考。同时 GaN 作为一种宽禁带半导体材料，其 n 型掺杂已经实现商业应用，但是由于其材料本身的强补偿效应，一直未实现高效稳定的 p 型掺杂。本课题中我们将利用 MOCVD 设备，采用同质外延的方法制备高质量的 p 型 GaN 薄膜，并对其光学和电学性能进行研究，以实现其商业应用。