SOT-MRAM存内计算原型芯片存储容量≥32 Kb芯片性能测试

本数据集来源于国家重点研发计划“新型自旋轨道矩材料与高性能存内计算器件”项目（编号2021YFB3601300）的课题四，主要面向客观量化评估存算一体原型芯片在实际工作负载下的核心性能指标的研究与工程需求。数据基于项目所研制的≥32Kb SOT-MRAM存内计算芯片实体，在配备专用测试子板与上位机软件的FPGA验证平台上，通过执行标准化的向量-矩阵乘法等基准测试程序产生。数据集系统记录了芯片执行存内计算操作时的真实性能表现，主要包含了在不同计算负载下芯片的功耗、计算延迟、吞吐率等时序与功耗轨迹的实时记录，以及输入测试向量与芯片输出结果的完整数据流等核心观测值。这些数据是连接芯片物理实现与系统应用效能的关键桥梁，为验证存内计算架构的能效优势、评估其实际算力并精确量化其“功能演示”前的硬件性能基线提供了原始、客观的实证依据。数据集以结构化测试日志、时序波形数据、基准测试结果报告及相关分析脚本为主要内容。