宽波段 p-GaN/i-AlGaN/n-AlGaN p-i-n紫外探测器制备与表征数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
通过MOCVD 生长了p-GaN/i-AlGaN/n-AlGaN p-i-n 异质结构。为实现高探测率紫外探测器件，我们进行了器件结构设计。其中 n-AlGaN 的带宽在 3.54～4.1eV 范围内渐变，本征 i-AlGaN充当紫外光吸收层。这种设计是利于本征层中产生的光生电子空穴对有效分离来提高探测效率。根据测试结果，该器件响应波段300~365 nm, 探测率(350 nm)高达1013 Jones, 暗电流<1 pA，响应时间<1 μs，表现出较高的探测性能。
提供机构：
东北师范大学
