LiNbO3低温铁电畴壁存储器研究

研究了铌酸锂畴壁存储器的制备工艺，利用磁控溅射系统、反应离子刻蚀机（RIE）、电子束光刻机（EBL）和化学机械抛光仪（CMP）在与硅基键合的铌酸锂单晶薄膜上制备了埋入式Cu电极的铌酸锂纳米器件，实现了自对准过程，提升了与COMS工艺的兼容性；并利用压电力显微镜（PFM）的表征了器件的电畴状态，通过导体参数分析测试平台，研究了铁电畴壁器件的非易失性存储特性，并对铌酸锂畴壁存储器的畴壁电流在从室温到80K的温度变化范围内进行了测试，验证了畴壁电流在80K的低温条件下依旧维持在微安级别；对铌酸锂畴壁存储器在120K下进行了读写测试，证明了存储器在低温条件下工作的可行性。