ETUDE A 3D DE LA PHOTOPILE AU SILICIUM POLYCRISTALLIN : OPTIMISATION DU TAUX DE DOPAGE EN FONCTION DE LEPAISSEUR DE LA BASE

Dans ce travail, nous avons propose une methode pour determiner le taux de dopage optimal dune photopile monofaciale au silicium de type n+-p-p+, sous eclairement polychromatique de la face avant en utilisant le model de Fossum du coefficient de diffusion dependant du taux de dopage Dn (Nb).Lexpression de la densite de porteurs minoritaires de charge en fonction du taux de dopage et de lepaisseur de la base est etablie. A partir de lanalyse du profil dela densite de porteurs minoritaires de chargeà la jonction, en fonction du taux de dopage pour differentes valeurs de lepaisseur de la base, le taux de dopage optimal pour chaque valeur de lepaisseur est deduit. Une correlation entre lepaisseur de la base et le taux de dopage optimal est proposee. Elle permet lelaboration des photopiles de taux de dopage optimal pour chaque epaisseur de la base sans reduire son rendement.