SiC-graphene-3 测试结果
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资源简介：
电阻的计量标准可通过低温磁场下的量子霍尔效应复现。本次测试采集了四个碳化硅外延石墨烯器件的量子霍尔效应测试结果，四个器件分别为SiC-graphene-3-1、SiC-graphene-3-2、SiC-graphene-3-3、SiC-graphene-3-4。测试温度为5 K，通入器件的电流为10 uA，当磁场从9 T变化到-9 T时，记录了霍尔电压Rxy和纵向电压Rxx随磁场的变化。
提供机构：
中国科学技术大学
创建时间：
2023-05-31
