插层工艺优化的铪基铁电薄膜极化翻转性能

插层工艺优化的铪基铁电薄膜极化翻转性能数据集主要面向插层工程调控超薄铪基铁电电容界面状态、极化稳定性与翻转动力学机理研究。数据资源来源于2024年复旦大学芯片与系统前沿技术研究院晶圆级电学测试平台与配套结构/成分/光学表征平台，覆盖不同插层厚度与插层位置（顶插层/底插层/双插层等）、器件结构（有/无插层）及退火条件变化下的系统对照数据。电学数据由晶圆级探针台与Keithley 4200A-SCS采集，测试连接方式统一为偏压施加于底电极、顶电极接地，以保证不同样品与不同测试序列之间的可比性；数据主要记录极化-电压回线（P–V）、漏电流密度-电压曲线（J–V）、PUND耐久性、保持特性、单脉冲翻转动力学（ΔP–tw）以及特征翻转时间-电场关系等关键指标，用于量化评估插层参数对极化行为、可靠性与翻转速率的协同影响。结构与成分信息由GIXRD、高分辨横截面HRTEM及STEM-EDS元素分布获得，用于提供相结构演化、界面形貌与插层相关成分证据；光学表征包含可见光波段透过率曲线与透明器件实物照片，用于评估透明铁电电容的光学透明度并支撑“电学—结构—透明度”的联合分析。全体数据按“测试内容/表征方式”规则归类存放，文件格式以Origin工程文件（.opju）与图像（.tif）为主，数据量约3.76MB，为插层厚度/位置/退火/结构对超薄铪基铁电电容极化稳定性与翻转动力学影响的复现实证、对比分析与数据复用提供基础。