基于COMSOL的外延生长吸附反应仿真数据集

本数据集主要面向二维材料吸附反应外延生长机理研究及生长厚度均匀性与温度场关系模型的构建需求建设，基于嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心搭建的工作站平台产生。背景在于传统CVD工艺难以在器件所需基底上原位生长高质量大尺寸二维薄膜，项目创新提出“吸附反应外延”新原理，需揭示不同温度下分子表面吸附与高温晶化的行为规律。数据集采用Materials Studio分子材料计算模拟软件，分别建立分子表面吸附模型（真空层厚度≥15 Å，超晶胞边长>10 Å）和分子表面高温晶化模型（使用Forcite模块进行800℃升温退火处理），仿真获取0℃至300℃多个温度点的吸附构型、吸附统计以及100℃/300℃吸附后经800℃结晶的演化过程。主要内容包括：0℃、100℃、150℃、200℃、300℃吸附图，吸附统计图，100℃吸附800℃结晶图，300℃吸附800℃结晶图，以及完整的吸附仿真模型文件夹（内含条件设置、能量数据、加载配置等文件）。数据体量共计129MB，包含8张图片、2个文本、2个XSD文件、1个XMS文件和3个XCD文件。该数据集首次建立了表面吸附、高温晶化与温度场的定量关联，为后续工艺调控和装备优化提供了理论基础。