溶剂介导的金银纳米团簇一维组装

本数据集主要面向溶剂介导的金银纳米团簇一维组装研究，主要记录了以下信息：
1. (AuAg)34n-聚合态、(AuAg)34-单体态单晶数据——用X-射线单晶衍射仪收集纳米团簇的晶体结构数据，用CuKα (λ = 1.54184)光源测试，温度设置为100 K（晶体数据的吸收校正、结构解析与精修过程分别采用CrysAlis程序、SHELXTL-2014和Olex2程序。基于全矩阵最小二乘法对所有非氢原子进行结构和各向异性精修。）
2. (AuAg)34n-、(AuAg)34-紫外可见光谱数据——用紫外可见吸收光谱仪（Varian Carry 5000 spectrophotometer）表征团簇的紫外可见吸收光谱（漫反射模式，BaSO4为基底）。
3. 理论计算相关数据——DFT计算部分由GPAW程序包完成，并使用了GGA-PBE交换关联函数和真实空间网格来实现波函数。所有理论计算所使用的网格间距均为0.2 Å。单体态纳米团簇的吸收光谱计算使用GPAW软件中的线性响应时间相关密度泛函理论（LR-TDDFT）。为了保证计算结果的可靠性，所用的有机配体均为真实分子结构。对于所有的单体态(AuAg)34纳米团簇，分别计算了晶体态和弛豫结构的紫外-可见吸收光谱，并和实验所得吸收光谱进行了比较。电子-空穴的激发能量高达4.75 eV。并用高斯展宽为0.1 eV的单个振子强度来绘制光谱。对于聚合态(AuAg)34n纳米团簇而言，选择模型4作为单体构建聚合物模型，进行紫外-可见吸收光谱计算，并与实验得到的吸收光谱进行比对。基于纳米团簇的晶体结构，确定了单斜晶系中每个单胞中各个团簇的相对位置。布里渊区的k点采用了4×4×4的Monkhorst-Pack采样。用高斯展宽法计算了总态密度（DOS），高斯展宽为0.1 eV
4. 场效应晶体管相关数据——制造过程如下：先在表面覆盖300 nm厚度二氧化硅的单晶硅片上旋涂光刻胶。再利用光刻蚀技术制备金电极（5 nm Cr/50 nm Au）。随后，电子束蒸发与剥离过程。最后，将单晶样品转移到金电极上。银胶被用来增加晶体与电极之间的接触。与单晶两极分别相连的Au电极分别作为源电极和漏电极，单晶硅片则作为栅电极。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于溶剂介导的金银纳米团簇一维组装研究，主要包含(AuAg)34纳米团簇的晶体结构、紫外可见光谱、理论计算及场效应晶体管等实验与计算数据。数据涉及X-射线单晶衍射、光谱表征、密度泛函理论计算和器件制备等多个方面，旨在支持相关纳米材料的结构与性能分析。