55nm基于超陡亚阈值摆幅器件TFET-CMOS混合MCU数据集

数据集内容为2023年3月份流片的55nm TFET-CMOS混合工艺设计的MCU动态功耗、静态功耗测试数据以及专利、论文。内含1个数据集说明文件，1个表格文件夹，1个专利文件夹，1个论文文件夹，其中表格文件夹内包含两个表格，分别为动态功耗和休眠功耗的测试数据。测试在装有MDK-ARM的集成开发环境Keil uVision5上进行。Keil uVision5用于调试调试嵌入式应用程序。ARM仿真器用于连接测试板与PC端，对基于ARM核的 MCU进行调试。测量动态功耗时，整片芯片各模块均开启，并维持在2.5V(IO)/1.2V(CORE)的供电下；测量休眠功耗时，芯片进入休眠模式，可关电区不供电，常开区在低供电下工作。测试时，通过上位机软件(装有MDK-ARM的集成开发环境Keil uVision5)控制测试工具(J-LINK)给待测芯片发送指令，同时获取响应反映在上位机串口助手中，即可完成功能验证测试。同时，通过串联在测试板和可调直流电源间的半台式数字万用表测量得到电流、电压数据，完成功耗测试。