在六方氮化硼中利用离子注入方式产生自旋缺陷数据

主要面向量子信息实验研究，受到国家重点研发计划项目2017YFA0304102支持，宽禁带半导体中的自旋缺陷是突出的量子信息平台，二维材料具有独特的优势，这里我们利用离子注入的方式在六方氮化硼材料中确定性制备了VB-自旋缺陷，信号来源于532nm半导体激光器激发的VB-自旋缺陷的光致发光，利用PI位移台扫描定位样品，利用微波源产生微波操控自旋态，通过搭建的十字光路收集荧光经单模光纤传输到单光子探测器，最后由NI计数卡获取数据，主要记录了其光谱数据以及ODMR谱数据，以表征其光学和自旋特性。另外，我们还通过改变离子注入的剂量、能量、离子种类参数来研究对产生的VB-缺陷的光学和自旋性质的影响。数据量为：620 KB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集面向量子信息实验研究，通过离子注入在六方氮化硼中确定性制备VB-自旋缺陷，并利用光谱和ODMR谱数据表征其光学和自旋特性。数据还包括不同离子注入参数对缺陷性质的影响研究，总数据量约为620 KB。