晶圆级二维范德华电子材料生长

晶圆级二维MoS2、MoTe2、石墨烯和h-BN的生长机制和生长方法研究数据，数据类型为文件，数据量共2.11G，共享方式为完全共享。薄膜表征数据，包括透射电镜，光学显微镜照片，XRD衍射，扫描电镜、STM图像、Raman光谱。电学性质通过Keysight1500A、Keithley4200以及Lakeshore低温探针台测试所得。器件加工通过微纳加工工艺，包括电子束曝光、RIE刻蚀、ALD沉积等。其中石墨烯实现了双层转角的精确控制。数据采集时间地点：国家纳米科学中心、北京大学；数据采集时间：2019.9.1-2024.8.31。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集记录了晶圆级二维范德华电子材料（包括MoS2、MoTe2、石墨烯和h-BN）的生长机制与制备方法研究数据，总数据量约2.11GB，采用完全共享方式公开发布。数据涵盖透射电镜、光学显微镜、XRD衍射等多种薄膜表征结果，以及通过微纳加工工艺制备器件后的电学性质测试数据，采集时间为2019年9月至2024年8月，地点为国家纳米科学中心和北京大学。