晶圆级二维范德华电子材料生长

晶圆级二维MoS2、MoTe2、石墨烯和h-BN的生长机制和生长方法研究数据，数据类型为文件，数据量共2.11G，共享方式为完全共享。薄膜表征数据，包括透射电镜，光学显微镜照片，XRD衍射，扫描电镜、STM图像、Raman光谱。电学性质通过Keysight1500A、Keithley4200以及Lakeshore低温探针台测试所得。器件加工通过微纳加工工艺，包括电子束曝光、RIE刻蚀、ALD沉积等。其中石墨烯实现了双层转角的精确控制。数据采集时间地点：国家纳米科学中心、北京大学；数据采集时间：2019.9.1-2024.8.31。