低温GaN HEMT器件研制工艺参数
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
本数据集研究了低温下（<10K）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的射频小信号特性，包括器件的S参数，最大稳定增益（MSG）和最大资用功率增益（MAG）的频率响应曲线以及晶体管最高振荡频率（fmax）。GaN HEMT 器件在温度区间内的射频实验数据值由低温探针台测试系统获得。首先，需要通过扎针进行标准的 SOLT (Short-Open-Load-Through)校准方法，将仪表、线缆和探针的寄生参数去除。然后，利用工业标准射频电路设计软件Advanced Design System (ADS)，辅助计算最大功率增益MSG/MAG并提取最大工作频率fmax。
提供机构：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
