Neisseria meningitidis Type IV pilus SB-GATDH variant

Neisseria meningitidis Type IV pilus SB-GATDH variant Descriptor: (2~{R})-~{N}-[(2~{R},3~{S},4~{S},5~{R},6~{R})-5-acetamido-2-methyl-4,6-bis(oxidanyl)oxan-3-yl]-2,3-bis(oxidanyl)propanamide, Neisseria meningitidis PilE variant SB-GATDH, SN-GLYCEROL-3-PHOSPHATE Authors: Fernandez-Martinez, D, Dumenil, G. Deposit date: 2023-05-16 Release date: 2024-04-03 Last modified: 2024-11-13 Method: ELECTRON MICROSCOPY (2.99 Å) Cite: Cryo-EM structures of type IV pili complexed with nanobodies reveal immune escape mechanisms. Nat Commun, 15, 2024脑膜炎奈瑟菌（Neisseria meningitidis）IV型菌毛（Type IV pilus）SB-GATDH变体 描述符：(2R)-N-[(2R,3S,4S,5R,6R)-5-乙酰氨基-2-甲基-4,6-二羟基四氢吡喃-3-基]-2,3-二羟基丙酰胺、脑膜炎奈瑟菌PilE变体SB-GATDH、SN-甘油-3-磷酸；作者：费尔南德斯-马丁内斯（D. Fernandez-Martinez）、迪米尼（G. Dumenil）；存档日期：2023年5月16日；发布日期：2024年4月3日；最后修改日期：2024年11月13日；实验方法：电子显微镜（分辨率2.99埃）；引用文献：《与纳米抗体结合的IV型菌毛冷冻电镜结构揭示免疫逃逸机制》，《自然·通讯》（Nat Commun），第15卷，2024年