Data underlying the publication: Device-Aware Test for Ion Depletion Defects in RRAMs
收藏4TU.ResearchData2025-03-17 更新2026-04-23 收录
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The raw data of a defect-free RRAM I-V curve, which can be seen in Fig. 10 (a). The data set can help researcher to make an I-V curve or R-V curve of a HfO2 based RRAM device.
本数据集包含无缺陷阻变随机存取存储器（RRAM）的原始电流-电压（I-V）曲线数据，如图10(a)所示。该数据集可辅助研究人员绘制基于氧化铪（HfO₂）的RRAM器件的I-V曲线或电阻-电压（R-V）曲线。
创建时间：
2025-03-17
