半导体二维原子晶体的可控掺杂、修饰与能带调控

通过化学气相沉积、高温熔炼结合拓扑脱嵌反应制备原子掺杂和有机功能化锗烯和TMDs等二维原子晶体，结合剥离获得纳米片，使用原子力、透射电子显微镜和扫描电子显微镜观察形貌，紫外可见吸收光谱和荧光光谱测定并计算光学带隙；电学数据通过对其转移电极构成底栅顶接触器件，在探针台下测试电学性能；通过空间限域制备出大面积二维分子晶体，然后转移到硅片上进行显微镜拍摄，并进行原子力和透射电子显微镜的扫描；通过物理气象沉积在硅片上制备出大面积的TMD，并在光学显微镜下进行拍摄；将二维分子晶体转移到物理气象沉积的TMD上进行显微镜拍摄；电学数据通过对二维分子晶体转移电极构成底栅顶接触器件，在探针台下测试电学性能；通过机械剥离法制备出薄层或单层二维分子晶体，然后转移到硅片上进行显微镜拍摄，并进行原子力和透射电子显微镜的扫描；通过物理气象沉积在硅片上制备出TMD，并在光学显微镜下进行拍摄；将二维分子晶体转移到物理气象沉积的TMD上进行显微镜拍摄。数据集主要包含原始数据，分析数据以及成果三个子集，数据量2GB。