外尔半导体碲薄片的磁输运性质

碲作为一种元素半导体，由于其非平凡的能带拓扑结构以及由此产生的有趣的拓扑输运现象，近年来引起了人们的广泛关注。在这项研究中，我们报告了通过简单的气相沉积工艺生长的碲薄片的系统电子输运研究。样品为空穴自掺杂，在低温下表现出典型的弱局域化行为。在平行磁场作用下，在较宽的温度范围内观察到了大的负纵向磁阻。此现象和碲块体单晶中的负纵向磁阻有相同的来源，即价带顶部附近的外尔点。然而，随着温度的降低，纵向电导经历了从抛物线到线性场依赖的转变，与体相对应的情况明显不同。进一步分析表明，这种低维碲结构中外尔行为的调制可以归因于低温下谷间散射的增强。我们的研究结果进一步将外尔物理扩展到低维半导体系统，这可能会在设计拓扑半导体器件中有潜在的应用价值。