Bi插层的范德华层状SiTe2材料拓扑超导电性

本数据集主要是基于第一性原理计算对外场作用下材料的性能变化进行分析。其中包括块体SiTe2材料在静水压、面内应变作用下性质的变化以及Bi插层的块体SiTe2的相关性质。电子结构信息的计算通过第一性原理计算软件VASP计算得出，声子谱的计算结合了声子处理软件Phonopy，超导性质的计算通过QUANTUMESPRESSO (QE)软件基于BCS理论计算得到。数据集主要内容包括块体SiTe2在静水压、面内应变下的电子结构、声子谱和超导性质等文件，放置在“块体SiTe2”文件夹中；Bi插层的块体SiTe2相关信息放置在“Bi插层的块体SiTe2”文件夹中，材料的晶体结构信息放置在“结构文件”文件夹中。数据集主要面向超导材料预言及外场调控等研究，为超导材料的发现以及实现物态调控打下基础，并为专项其他项目与课题提供理论指导。数据集的总量为30.8MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集基于第一性原理计算，研究了外场（如静水压和面内应变）对块体SiTe2材料性能的影响，以及Bi插层后的拓扑超导电性。内容包括电子结构、声子谱和超导性质的计算结果，使用VASP、Phonopy和QUANTUMESPRESSO等软件，旨在为超导材料的发现和物态调控提供理论指导。