验证230GHzSiGe收发机系统工艺信息数据集

230GHz 太赫兹通信芯片的性能高度依赖工艺参数与物理实现。SiGe 工艺凭借高电子迁移率和成熟集成能力，成为高频段芯片的核心技术路径。本数据集通过工艺规则 + 版图 + 芯片显微照片的组合，首次公开了 230GHz SiGe 收发机的工艺级设计细节，为学术界和工业界提供了可复用的工艺参考，解决了 “设计 - 工艺 - 流片” 协同优化的关键问题，加速太赫兹芯片从设计到制造的落地。该数据集聚焦230GHz SiGe 收发机芯片工艺实现，由清华大学东主楼微电子学研究所团队于 2021 年 4 月至 2023 年 4 月采集生成，包含 3 个文件，总数据量约4.57MB，覆盖工艺文档、版图及芯片实物信息。数据产生方法，工艺文档获取：直接引用晶圆代工厂提供的SiGe 工艺描述文件（10-3.pdf），涵盖金属层定义、器件电学特性等设计规则；版图设计：使用 Cadence Virtuoso 完成芯片版图绘制（10-1.png），严格遵循 SiGe 工艺规则，包含射频模块、数字电路及焊盘布局；芯片显微拍摄：通过光学显微镜采集流片后芯片的显微照片（10-2.png），直观展示物理结构与模块分区。数据主要内容包括工艺设计文档（10-3.pdf）：代工厂提供的 PDK 工艺库文件，定义器件参数与制造规则；芯片版图截图（10-1.png）：Virtuoso 版图界面截图，反映芯片物理设计全貌（如面积、层叠结构）；芯片显微照片（10-2.png）：实际流片芯片的光学显微图像，验证设计的物理实现与模块布局。数据集完全共享，适用于芯片设计团队参考工艺规则优化版图，或高校作为教学案例讲解 “设计 - 工艺” 映射关系。其核心意义在于将抽象工艺规则与具体芯片实物结合，为 230GHz SiGe 芯片的工艺选型、版图优化及流片验证提供直接数据支撑，推动太赫兹通信技术的工程化发展。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集旨在验证230GHz SiGe收发机系统的工艺信息，通过提供工艺文档、版图设计和芯片显微照片，公开了工艺级设计细节。它解决了设计、工艺与流片之间的协同优化问题，为学术界和工业界提供了可复用的参考，加速太赫兹芯片从设计到制造的工程化进程。