Data set : Resistance (Ω) of HgTe quantum well as a Function of Temperature and Gate Voltage

Title:Resistance (Ω) of HgTe quantum well as a Function of Temperature and Gate Voltage Description:This dataset contains measured resistance values (in kiloohms, kΩ) for a device under varying temperatures and gate voltages. The data is structured in a CSV file where: The first row lists temperature values (in Kelvin, K ). The first column lists gate voltage values (in Volts, V). The remaining cells represent the corresponding resistance (kΩ) at each temperature (row header) and gate voltage (column header). Key Details: File format: CSV (comma-separated values). Variables: Gate voltage (V), temperature (K), resistance (kΩ). Use Case: for paper “ Interplay Between Electron-Hole and Impurity Scattering in HgTe-Based Quantum Wells “ Additional Notes (if applicable): Measurement conditions (low temperature). Device/material details (HgTe 21 nm width quantum wells).标题：碲化汞（HgTe）量子阱的电阻（Ω）随温度与栅极电压的变化关系 数据集说明：本数据集收录了某器件在不同温度与栅极电压条件下测得的电阻值（单位：千欧，kΩ）。数据以CSV（逗号分隔值）文件格式存储，结构如下： 首行列出温度数值（单位：开尔文，K）； 首列列出栅极电压数值（单位：伏特，V）； 其余单元格代表对应各温度（行表头）与栅极电压（列表头）下的电阻值（单位：kΩ）。 关键说明： 文件格式：CSV（逗号分隔值）。 变量：栅极电压（V）、温度（K）、电阻（kΩ）。 应用场景：用于学术论文《碲化汞基量子阱中电子-空穴与杂质散射的相互作用》 附加说明： 1. 测量条件：低温环境； 2. 器件/材料参数：阱宽为21 nm的碲化汞量子阱。