Average correct letters per minute (CLM) for the c-VEP BCI with dry EEG electrodes.
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Average correct letters per minute (CLM) for the c-VEP BCI with dry EEG electrodes.
基于干式脑电电极的编码调制视觉诱发电位脑机接口（c-VEP BCI）的每分钟平均正确字符数（CLM）
创建时间：
2017-02-22
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