400G CDR芯片偏置电流数据

400G芯片偏置电流表征了芯片驱动器的性能特性、光模块的设计裕量以及对激光器老化的容错能力，为激光器工作点的稳定建立和支持多样化的激光器选型提供数据支撑。数据采集方式为：在温度(23±3)℃，湿度(55±5)%RH的洁净实验室环境下，使用直流电源为 CDR 芯片偏置电流的引脚提供一个稳压电源，打开 CDR 芯片偏置电流输出的控制位，从直流电源上面读取电流值。数据量为32.03 MB。 时间及地点：2025年12月，上海市浦东新区睿明路199弄4号楼三层研发实验室。