智能存储芯片三维集成
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=684581f3195d262d3d6126f2&type=1
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资源简介：
该数据集为智能存储芯片三维集成数据集，研究提出了使用Hybrid bonding + mini TSV的三维异质集成技术，实现了逻辑芯片与DRAM存储芯片的三维堆叠集成，为实现三维近存访问架构提供工艺支持。经检测，本研究可实现的晶圆级垂直堆叠互连密度为每平方毫米40k个互连，达到HBM的100倍，且支持500MHz频率下的垂直访存通信。
该数据集记录了三维异质集成技术的各项架构细节与测试数据。
提供机构：
中国科学院微电子研究所
