新型SOT-MRAM器件可更新次数测量数据集

该数据集测量新型SOT-MRAM器件的可更新次数不低于1013次。固定温度下，进行器件级的电学加速测试，并结合公式外推。具体来说，通过施加高于工作电压的写入电压，对一定规模的器件数目进行可更新次数测试，并结合器件可更新次数的分布以及写入电压与可更新次数的关系，外推得到实际规模的阵列和实际工作电压下的可更新次数。