InGaN基Micro-LED外延机理研究和结构设计数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2025-08-30 收录
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资源简介：
InGaN基Micro-LED外延机理研究和结构设计主要针对Micro-LED应用及外延生产的技术挑战，在新型MOCVD设备样机上开展PVD AlN/低温GaN缓冲层的LED外延生长实验，以及设计不同种类的量子阱结构的InGaN基LED外延生长方法，并制备成Micro-LED阵列来对比EL光谱、发光效率、输出功率等参数，获取了较好的实验结果，为项目的生产验证提供了较好的研究基础。该数据集主要采集了相关研究的论文全文及专利全文等数据，数据量约为48.7MB。
提供机构：
中微半导体设备(上海)股份有限公司
