硅基单片光开关集成器件及测试

互联网流量指数级增长使数据中心面临严峻带宽瓶颈，低成本、低功耗与高速光互联成为核心解决方案。其中Si、SiN、Ge、LiNbO₃等材料的硅基单片集成凭借可实现多类高性能光电元件的优势，成为当前的研究热点，但这些材料的异质集成仍然面临晶格失配、热应力失配及键合缺陷等挑战。针对以上问题，本数据集通过研究多材料工艺集成方法，优化AWG、Ge PD等器件设计与制备，最终实现SOI-SiN-Ge的CMOS兼容光子集成，研制出光电单片集成样品，为硅光子技术产业化提供支撑与参考。本数据集记录了硅基异质集成光子器件的优化设计测试结果，例如AWG、Ge PD等关键器件，最终实现SOI-SiN-Ge的CMOS兼容工艺光子集成，测试一款硅基光电单片集成样品光开关性能数据，数据量约为25MB。