单比特退相干时间达到100微秒以上

数据包含100微秒以上退相干时间的量子芯片样品的测试数据。在有16个量子比特，2个耦合器，16个读取腔的超导量子芯片上实现单退相干时间达到100微秒以上的工艺标准。该样品使用倒装焊工艺制备，并根据测试结果不断迭代。通过对低温放大器，各盘接线等外围电子学设备的检测，及对各比特、耦合器和读取腔各项工作参数的测量与优化，不断降低量子比特间串扰，使得量子比特退相干时间达到100微秒以上。数据集主要包含对量子比特、耦合器、读取腔的检线测试数据，测量退相干时间的原始数据与数据处理代码，和实验数据的可视化结果。其中“20220920_16qubitsWith16Couplers测试报告.pptx”文件为测试数据的可视化报告。“BCCC_flip3_2参数(1).pptx”为被测试样品的设计参数。“20220920_16qubitsWith16Couplers测试样品”文件夹包含耦合器，量子比特，与读取腔的检线测试数据。“20220927_16qubitsWith16Couplers_sample”文件夹包含被测试样品的退相干时间的原始数据。“dataProcess”文件夹包含数据处理代码与处理数据。“simu”文件包含样品模拟代码。实验基于检线测试数据对测控系统与量子比特的工作参数进行优化，找到系统的稳定工作点。之后测量芯片各比特的退相干时间，将从芯片测控系统获得的原始数据使用python编写的数据处理代码进行处理计算，产生可视化的结果。相干可视化结果及分析记录在测试报告中。