Wpływ powłok HfO2 i Al2O3 na dynamikę sieci nanodrutów GaN. Analiza statystyczna wyników spektroskopii Ramana

Zamieszczone wyniki dotyczą badań dotyczących wpływu powłok HfO2 i Al2O3 na dynamikę sieci nanodrutów GaN. Nanodruty GaN były krystalizowane na podłożu krzemowym techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu (PAMBE). Powłoki tlenku hafnu oraz aluminium zostały naniesione metodą osadzania cienkich warstw (ALD). Ponadto została wykonana analiza statystyczna wyników spektroskopii Ramana. W ramach badań zaproponowano wykorzystanie metod wnioskowania statystycznego w celu zweryfikowania występowania istotnych statystycznie różnic w częstościach wzbudzeń fononowych wyznaczanych na podstawie pomiarów widm Ramana. Pomiary ramanowskie i analizę danych przeprowadzono dla serii próbek nanodrutów typu rdzeń GaN - powłoka Al2O3 lub HfO2, otrzymanych na podłożu krzemowym.Zmierzone częstości wzbudzeń fononowych, w szczególności modu GaN E2high, poddano analizie, wykazując istotne statystycznie różnice pomiędzy próbkami o różnych grubościach powłok. Potwierdzono ich wpływ na właściwości strukturalne i dynamikę sieci krystalicznej nanodrutów. Pokazano również, że wykorzystanie podejścia statystycznego w analizie wyników ramanowskich istotnie zwiększa ich wiarygodność.Opis wyników znajduje się w pliku readme.txt.

本数据集收录的研究结果围绕氧化铪（HfO2）与氧化铝（Al2O3）涂层对氮化镓（GaN）纳米线晶格动力学的影响展开。本次研究中的氮化镓纳米线通过等离子体辅助分子束外延（PAMBE）工艺在硅衬底上外延生长制备；氧化铪与氧化铝涂层则通过原子层沉积（ALD）工艺沉积得到。此外，本研究还对拉曼光谱测试结果开展了统计分析。研究期间，团队提出采用统计推断方法，以验证基于拉曼光谱测试得到的声子激发频率是否存在统计学意义上的显著差异。研究针对硅衬底上制备的氮化镓核-氧化铪/氧化铝涂层壳型纳米线样品系列开展了拉曼测试与数据分析。对测得的声子激发频率（尤其是氮化镓的E₂高模（E2high））开展分析后发现，不同涂层厚度的样品之间存在统计学意义上的显著差异，证实了涂层对纳米线的结构特性与晶格动力学具有调控作用。研究同时表明，在拉曼光谱结果分析中引入统计分析方法，可显著提升测试结果的可信度。数据集结果的详细说明详见readme.txt文件。