In2O3:F 薄膜晶体管电学性能数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-03-21 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=69b82938195d2623ac63a86c&type=1
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资源简介：
该数据集基于原子层沉积（ALD）工艺制备的超薄 In2O3 沟道薄膜，并通过 CF₄ 等离子体处理实现可控氟掺杂，在保持高迁移率的同时显著改善器件的电学稳定性。数据集系统收集了不同氟化处理时间条件下 In2O3:F TFT 的转移特性、输出特性及统计参数，包括阈值电压（Vth）、场效应迁移率（μFE）和亚阈值摆幅（SS），并进一步给出了沟道长度依赖关系以及器件在偏置应力条件下的电学响应行为。
提供机构：
北京大学深圳研究生院
