In2O3:F 薄膜晶体管电学性能数据集

该数据集基于原子层沉积（ALD）工艺制备的超薄 In2O3 沟道薄膜，并通过 CF₄ 等离子体处理实现可控氟掺杂，在保持高迁移率的同时显著改善器件的电学稳定性。数据集系统收集了不同氟化处理时间条件下 In2O3:F TFT 的转移特性、输出特性及统计参数，包括阈值电压（Vth）、场效应迁移率（μFE）和亚阈值摆幅（SS），并进一步给出了沟道长度依赖关系以及器件在偏置应力条件下的电学响应行为。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集记录了通过原子层沉积（ALD）制备的超薄In2O3沟道薄膜，经CF₄等离子体处理实现可控氟掺杂后所构建的薄膜晶体管（TFT）的电学性能。数据涵盖了不同氟化处理时间下器件的转移特性、输出特性以及阈值电压、迁移率、亚阈值摆幅等关键参数，并包含了沟道长度依赖性和偏置应力下的电学响应行为。