Supporting Information Anti-Defect Engineering Toward High Luminescent Efficiency in Whitlockite Phosphors

Main parameters of processing and refinement of the phosphorsFractional atomic coordinates and isotropic displacement parameters (Å2) of phosphors.Main bond lengths (Å) of phosphors.Calculation of the Debye temperature of phosphors.6 DFT simulation calculation of the formation energy E of 6 kinds of Ce3+ different crystallographic positions of phosphors.The Gaussian fitting parameters of the high-resolution XPS spectrum of phosphors, about the 3d core energy level of Ce, the 1s core energy level of Li, and Na, and the 2p core energy level of K.The main devices parameters of Red-LED and Warm-white LEDDifference Rietveld plot of phosphors.The excitation spectra monitored by 366nm emission.The emperature-dependent PL emission spectra of phosphors.The XRD patterns at 25℃-1000℃ of phosphors.\PL spectra of phosphors under 310 nm excitation.荧光材料（phosphors）的加工与精修主要参数； 荧光材料的分数原子坐标与各向同性位移参数（单位：Ų）； 荧光材料的主要键长（单位：Å）； 荧光材料的德拜温度（Debye temperature）计算； 针对6种不同晶体学位置的Ce³+掺杂荧光材料，开展6次密度泛函理论（DFT）模拟计算以求得其形成能E； 荧光材料高分辨率X射线光电子能谱（XPS）的高斯拟合参数，涉及Ce的3d核心能级、Li与Na的1s核心能级以及K的2p核心能级； 红光LED（Red-LED）与暖白光LED（Warm-white LED）的主要器件参数； 荧光材料的差分瑞特维尔德（Rietveld）精修图谱； 以366nm发射波长为监测条件的激发光谱； 荧光材料的变温光致发光（PL, Photoluminescence）发射光谱； 荧光材料在25℃至1000℃范围内的X射线衍射（XRD）图谱； 310nm激发下的荧光材料光致发光光谱。