Data for: Cobalt Germanide Nanostructure Formation and Memory Characteristic Enhancement in Silicon Oxide Films
收藏Mendeley Data2018-04-25 更新2026-04-09 收录
下载链接：
https://data.mendeley.com/datasets/98b5sn2dzx/1
下载链接
链接失效反馈官方服务：
资源简介：
Figure S1. C-V characteristics of the annealed samples comprising charge trap layer with Co and Ge alone.
图S1。仅以钴（Co）与锗（Ge）构成电荷俘获层的退火样品的电容-电压（C-V）特性。
创建时间：
2018-04-25
