Bulk Velocity Field Characteristics of GaAs, InP, InAs and GaSb for several doping concentrations at 300K
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资源简介：
These datasets contain bulk BTE simulation results for GaAs, InP, GaSb and InAs as a function of electric field at 300 K.
本数据集包含砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、锑化镓（GaSb）与砷化铟（InAs）在300K下随电场强度变化的体相玻尔兹曼输运方程（Boltzmann Transport Equation，BTE）批量模拟结果。
提供机构：
IEEE DataPort
创建时间：
2020-11-30
