氮化物半导体强耦合量子点单光子源二阶相关度

在量子计算和量子通信领域，单光子源发挥着不可替代的作用，所以一直是该领域的重点研究方向。半导体单光子源有优良的发光性能，并且易于集成和实现电泵浦，目前被认为是理想的单光子源结构。目前已知的半导体量子点绝大多数需要在低温下工作，并且发光波长在可见光和红外光，在实际应用中有了很多限制。而III 族氮化物量子点可以在室温下工作，并且发光波长可以覆盖紫外波段，有着更广阔的前景。本数据集记录了氮化物半导体强耦合量子点在结构尺寸上调控的方法。实现了GaN/AlN 量子点耦合纳米线结构在室温下良好的单光子发射。