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京东方科技集团股份有限公司

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京东方科技集团股份有限公司成立于1993年,属计算机、通信和其他电子设备制造业,主营制造电子产品、通信设备、机械电器设备、五金交电、制造电子计算机软硬件、经营电信业务等。面向Micro-LED、薄膜晶体管性能、驱动背板制备工艺等领域提供数据服务,开放Micro-LED驱动基板LTPS TFT 电学特性测试(Micro-LED、薄膜晶体管性能)、Micro-LED驱动背板尺寸规格测试数据集(Micro-LED、驱动背板制备工艺),支撑品质管理与工艺优化。

薄膜晶体管性能驱动背板制备工艺激光切割电子通信设备高新技术企业
成立于 1993 年北京市https://www.boe.com/boe@boe.com.cn

数据概览

4
数据集总量
49
总浏览量
0
关注人数
2026-05-15
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分类统计

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数据集列表

基于大面积薄膜晶体管的器件失效率采集实验数据
半导体器件可靠性评估
薄膜晶体管性能
该数据集主要面向大面积薄膜晶体管的器件失效率优化,为相关学术和工业研究提供数据支持。数据来源于京东方GA实验室的半导体参数分析仪,采集了大面积薄膜晶体管1000个TFT阈值电压数据,进而得出大面积薄膜晶体管的期间是效率。数据采集量为1.78MB。
国家基础学科公共科学数据中心110
切割设备样调试样品切割测试数据集
激光切割
OLED制造
面向激光晶片材料与器件的重大战略需求; 在柔性OLED显示器件的整体外观设计中,边框是非常关键的指标。它直接影响到显示器件的性能和终端产品的定位以及美观。在柔性OLED设计中,需要留给激光切割的工艺margin是切割线宽和切割位置精度的总和,所以激光切割的位置精度和切割线宽是影响柔性OLED边框的直接因素。 按照相关标准对于切割线宽、异形切割、对位精度、位置精度、切割速度进行数据采集。 数据集数据大小为31558KB
国家基础学科公共科学数据中心110
Micro-LED驱动基板LTPS TFT 电学特性测试数据集
Micro-LED
薄膜晶体管性能
LTPS TFT主要面向高亮度高PPI Micro-LED驱动显示背板研究,基于绝缘差以及P-Si膜层厚度调整达成特性要求,主要记录了迁移率、开关此以及NBTS数据,总数据量32.50MB。
国家基础学科公共科学数据中心150
Micro-LED驱动背板尺寸规格测试数据集
Micro-LED
驱动背板制备工艺
驱动背板制备工艺主要面向Micro-LED显示驱动背板技术研究,基于Micro-LED芯片来料阵列以及LTPS TFT制备工艺产出Mciro-LED驱动背板,主要记录了显示区尺寸、像素间距、分辨率以及PPI数据,总数据量3.90MB。
国家基础学科公共科学数据中心120
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