8英寸碳化硅导电衬底数据集

本数据集对应国家重点研发计划课题2021YFB3601101（大尺寸导电SiC衬底制备产业化技术）8英寸SiC单晶衬底研究成果，覆盖PVT法双线圈温场调控、分步扩径生长、缺陷抑制、加工工艺、多维度表征全链条数据。数据集以6英寸到7英寸到8英寸逐级扩径为技术路线，采用双感应线圈最优配比（4:6）实现温场精准调控，使用烧结SiC粉料抑制扩径区类微管缺陷，完成8英寸导电衬底生长、切片、抛光、检测全过程数据采集。指标要求：单晶直径＞206 mm，4H晶型：100%，使用面积＞92%，XRD半峰宽＜50 arcsec，大于0.3μm的颗粒密度＜0.5 个/cm2，微管密度＜0.5 cm-2，TTV＜10 μm，WARP＜60 μm，|BOW|＜45 μm，表面粗糙度＜0.2 nm，电阻率＜0.025 Ω·cm。所有指标全面达到并超过任务书考核要求：晶体直径：217.28 mm，晶型纯度：100% 4H-SiC，使用面积：96.20%，XRD (0004)摇摆曲线FWHM：32.23 arcsec，微管密度：0 cm⁻²，电阻率：0.02014 Ω·cm，表面粗糙度Ra：0.156 nm，TTV：2.236 μm，WARP：26.812 μm，|BOW|：6.102 μm，颗粒密度（＞0.3 μm）：0.3 个/cm²。 数据集包含温场仿真图、缺陷OM/SEM/LSCM/Raman/EDS图像、XRD摇摆曲线、电阻率Mapping、面型参数、第三方检测报告等，总数据量330 MB，可直接支撑大尺寸SiC晶体扩径机理、缺陷控制、产业化工艺优化与项目验收使用。