IGZO垂直沟道器件态密度特性模型测试的数据

基于铟镓锌氧（IGZO）的垂直沟道结构薄膜晶体管在新型动态随机存取存储器（DRAM）架构中展现出巨大的应用潜力。然而，由于IGZO垂直沟道器件的结构比平面结构器件更为复杂，目前对其器件物理特性和性能的深入理解仍然有限。因此，对IGZO沟道的态密度特性进行建模，开发高效可靠的器件模型对于更好地理解这类器件至关重要。本数据集是通过建立态密度特性模型，结合实验和技术计算机辅助设计技术（TCAD）仿真，用于分析关键态密度对IGZO垂直沟道器件性能的影响。该数据集包括态密度分布，以及阈值电压、亚阈值摆幅和场效应迁移率等器件参数。构建的IGZO垂直沟道器件态密度特性模型深入揭示了IGZO中态密度如何定量地影响器件性能，为后续垂直沟道器件的设计技术优化提供了参考。