一种高频可调节磁场探测器的制备方法
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本发明涉及磁场探测技术领域，本发明公开
了一种高频可调节磁场探测器的制备方法。该探
测器的制备方法具体如下，通过对具有二氧化硅
介质层的碳化硅薄膜衬底进行图形化，进而得到
待键合碳化硅薄膜衬底，并将该待键合碳化硅薄
膜衬底与压电薄膜衬底进行键合，对键合后的薄
膜衬底进行退火剥离，得到碳化硅‑压电薄膜结
构，再通过刻蚀掉该碳化硅‑压电薄膜内部的部
分二氧化硅介质层，之后通过制备叉指电极、低
温快退火等工序，得到该磁场探测器。本申请提
供的磁场探测器具有频率高和灵敏度高的特点
提供机构：
上海微系统与信息技术研究所
创建时间：
2023-05-23
