Data for: RADIATION HARDNESS OF GaAs:Cr AND Si SENSORS IRRADIATED BY ELECTRON BEAM
收藏NIAID Data Ecosystem2026-03-12 收录
相关数据集
平稳加速度传感器模组数据
具体数据情况如下：1)平稳加速度传感器的设计研发过程中，通过逐步分解任务书的产品技术指标，形成传感器模组的设计方案，并编制传感器模组方案设计说明书；2）平稳加速度传感器的设计研发过程中，通过三维软件构建了传感器的三维模型，用以开展产品设计；3）在平稳加速度传感器模组型式试验中，根据试验项点要求，将产品完成相关实验要求后，安装在离心加速度设备上，测试不同g值条件下的输出值，通过数据采集仪记录试验结果
国家基础学科公共科学数据中心160
Experimental results of the sensor working in high concentration dust environment.
Experimental results of the sensor working in high concentration dust environment.
Figshare2024-05-16 更新100
Total Ionizing Dose Response of a 22-nm Compiled Fully-Depleted-Silicon-on-Insulator Static Random Access Memory
This summary describes the results of total ionizing dose (TID) experiments on fully depleted silicon on insulator (FDSOI) static random access memory (SRAM). The tests were conducted with C060 gamma
DataCite Commons2023-04-17 更新90
氢气泄漏探测传感器开发及测试数据集
数据集内容：1）包括氢气泄漏探测传感器设计方案数据：设计原理图及数模文件。2）氢气泄漏探测传感器第三方检测报告；3）氢气泄漏探测传感器关键性能参数测试数据：响应时间、测量范围及通讯方式。 数据采集与加工： 1） 设计方案数据: 氢气泄漏探测传感器硬件设计采用CADENCE软件，软件设计采用KEIL软件，建模采用CATIA软件，完成产品设计。提交产品定型后的原理图、数模文件； 2）氢气泄漏探测传感器
国家基础学科公共科学数据中心140
Total Ionizing Dose Impact on 22-nm FD-SOI Ring Oscillator Current and Frequency
Total ionizing dose (TID) has a significant effect on silicon on insulator (SOI) circuits, manifest primarily as a front gate threshold voltage (Vt) shift. This paper presents data on ring oscillator
DataCite Commons2024-05-07 更新100
