陈绝缘体之间的非互易库仑拖拽数据集

数据集内容： 本数据集为磁性拓扑器件的实验数据集，内容包括V掺杂(Bi,Sb)₂Te₃陈绝缘体薄膜的MBE生长、splitH-bar器件加工、空气间隙结构制备、Ti/Au电极和Al线键合，以及20mK低温下纵向/横向库仑拖拽、直流响应、漏电流和磁场依赖输运测量。该数据集的设计重点是通过两个电隔离但库仑耦合的陈绝缘体通道，研究量子反常霍尔体系中的非互易拖拽效应、磁畴态、磁涨落和非线性输运响应。 该数据集主要对应指标3.1、指标4.1和指标4.2。它通过低温磁电输运研究陈绝缘体中的新奇量子输运效应，直接支撑指标3.1；通过磁性拓扑绝缘体薄膜器件和splitH-bar功能结构的制备，支撑指标4.1；通过磁畴、多畴态、磁涨落与电子输运之间的耦合，支撑指标4.2。由于该数据集包含20mK低温器件响应和精密电学/光电表征，可补充对应指标2.2与3.3。 采集方案： 研究采用MBE方法在半绝缘GaAs(111)B衬底上外延生长单晶V掺杂(Bi,Sb)₂Te₃薄膜。衬底除氧后保持约200℃，Bi、Sb、Te由Knudsen源和裂解源共蒸发，V由高温Knudsen源蒸发；使用RHEED监测生长并控制薄膜厚度约6nm。薄膜通过标准光刻和反应离子刻蚀制备为宽度约60μm的H-bar；空气间隙通过电子束光刻和反应离子刻蚀形成；电极为Ti(15nm)/Au(85nm)，并用Al线键合。输运测试在低温恒温器中进行，磁场垂直于器件表面，除特别说明外温度为20mK；采用2.3Hz低频交流锁相测量，使用SR865A锁相放大器、10MΩ参考电阻、NIPXIe-4499动态信号采集模块和Keithley6517B高阻计，分别测量纵向拖拽、横向拖拽、直流响应和漏电流。 采集地点： 样品生长、器件制备和低温输运测量主要在北京大学物理学院国际量子材料中心及相关实验平台完成。 采集时间： 2023年-2024年 数据量： 48.9MB