6英寸高纯半绝缘衬底验证数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-07-06 收录
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构建并公开SiC基异质结材料极端环境适应性与缺陷深度表征数据集，覆盖SiC外延、SiC基AlGaN/GaN异质结在高温、高湿、高温高湿复合条件下的性能演化数据，以及基于XRD角度调控的位错深度分布表征数据。数据来源于国家重点研发计划“大尺寸SiC单晶衬底制备产业化技术”（2021YFB3601100）配套基础研究，采集周期为2022年9月 - 2025 年6月。数据集包含SiC位错演化分子动力学模拟数据、XRD晶面深度表征原始曲线、极限条件加速老化测试数据、异质结微观形貌数据、4H-SiC衬底上AlN缓冲层、AlGaN/GaN单沟道异质结构、AlGaN/GaN双沟道异质结构以及具有AlN背势垒的薄GaN双沟道异质结构的外延生长、材料测试结果。数据对象包括不同厚度AlN薄膜、五类GaN基异质结构样品。数据内容包括AFM表面形貌与粗糙度数据、XRC半峰宽与位错密度数据、非接触Hall测试数据、HRXRD 2θ-ω扫描数据、RSM倒易空间映射计算数据。本数据集不仅为实现兼具高功率和高击穿电压的HEMT提供了数据指导，也为薄GaN沟道和新型多功能双沟道异质结构的进一步发展提供了参考。本数据集可为SiC基半导体材料缺陷表征、极端环境可靠性研究、射频功率器件寿命预测提供基础数据与方法支撑。总数据量2.55G.
提供机构：
山西烁科晶体有限公司
