基于VO2薄膜的光致宽带可调THz吸收器

选用强关联电子氧化物作为功能层，采用多层介电结构设计与光控方法，最终实现了这一关联电子器件在宽波段范围的太赫兹光谱性能可调。所选用的关联电子材料二氧化钒在绝缘体-金属相变前后，电导率，介电常数和光学性质会发生大幅度的变化，而且这种相变可以被温度，光和电场调控，因此是太赫兹可调谐器件的绝佳候选材料。通过光控的方法，团队在多层器件中实现了大于74%的调制深度。而且，在特定激光能量条件下，可以实现宽带零反射与接近180°的太赫兹相移。通过多种测试分析，研究团队明确了这种主动太赫兹波谱性能调控的物理起源。数据量约为0.01GB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于基于二氧化钒薄膜的光致宽带可调太赫兹吸收器，通过多层介电结构设计和光控方法，实现了太赫兹光谱性能的主动调控，包括大于74%的调制深度以及宽带零反射与接近180°的太赫兹相移。数据来源于国家重点研发计划项目，包含44个文件，总数据量为2.88MB。